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STGB10M65DF2

功能描述：IGBT 650V 10A D2PAK

制造商：stmicroelectronics

系列：-

包装：剪切带（CT）

零件状态：有效

IGBT 类型：沟槽型场截止

电压 - 集射极击穿（最大值）：650V

电流 - 集电极（Ic）（最大值）：20A

脉冲电流 - 集电极 (Icm)：40A

不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）：2V @ 15V，10A

功率 - 最大值：115W

开关能量：120μJ（开），270μJ（关）

输入类型：标准

栅极电荷：28nC

25°C 时 Td（开/关）值：19ns/91ns

测试条件：400V，10A，22 欧姆，15V

反向恢复时间（trr）：96ns

封装/外壳：TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB

安装类型：表面贴装

供应商器件封装：D2PAK

标准包装：1

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